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FDS9953A
FDS9953A Dual 30V P-Channel PowerTrench® MOSFET General Description Features This P -Channel MOSFET is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications requiring a wide range of gave drive voltage ratings (4.5V – 25V). • –2.9 A, –30 V Applications • Fast switching speed • Power management • Load switch • High performance trench technology for extremely low RDS(ON) • Battery protection • Low gate charge (2.5nC typical) • High power and current handling capability DD1 D1 D D2 D RDS(ON) = 130 mΩ @ V GS = –10 V RDS(ON) = 200 mΩ @ V GS = –4.5 V 5 D2 D 6 4 Q1 3 7 SO-8 Pin 1 SO-8 G1 S1 G G2 S S2 S 8 1 S Absolute Maximum Ratings Symbol 2 Q2 TA=25oC unless otherwise noted Ratings Units V DSS Drain-Source Voltage –30 V V GSS Gate-Source Voltage ±25 V Drain Current ±2.9 A ID Parameter – Continuous (Note 1a) ±10 – Pulsed PD Power Dissipation for Dual Operation 2 Power Dissipation for Single Operation (Note 1a) (Note 1b) 1 (Note 1c) TJ , TSTG W 1.6 0.9 –55 to +150 °C (Note 1a) 78 °C/W (Note 1) 40 °C/W Operating and Storage Junction Temperature Range Thermal Characteristics RθJA Thermal Resistance, Junction-to-Ambient RθJ C Thermal Resistance, Junction-to-Case Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Reel Size Tape width Quantity FDS9953A FDS9953A 13’’ 12mm 2500 units ©2001 Fairchild Semiconductor Corporation FDS9953A Rev B(W) FDS9953A May 2001
FAIRCHILD
Fairchild Semiconductor International, Inc
U.S.A
アメリカ合衆国の半導体メーカー。世界で初めて半導体集積回路の商業生産を開始した企業である。後に同社からは様々な人材が独立、幾つかはインテルを始めとする世界的な半導体メーカーへと成長していった。
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