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MMBD701LT1
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Silicon Hot –Carrier Diodes MBD701 MMBD701LT1 These devices are designed primarily for high–efficiency UHF and VHF detector applications. They are readily adaptable to many other fast switching RF and digital applications. They are supplied in an inexpensive plastic package for low–cost,high–volume consumer and industrial/commercial requirements. They are also available in a Surface Mount package. • Extremely Low Minority Carrier Lifetime – 15 ps (Typ) • Very Low Capacitance – 1.0 pF @ V R = 20 V • High Reverse Voltage – to 70 Volts • Low Reverse Leakage – 200 nA (Max) 70 VOLTS HIGH-VOLTAGE SILICON HOT-CARRIER DETECTOR AND SWITCHING DIODES 3 3 CATHODE 1 ANODE 1 2 CASE 318–08, STYLE8 SOT– 23 (TO–236AB) MAXIMUM RATINGS (T J = 125°C unless otherwise noted) MBD701 Rating Reverse Voltage Forward Power Dissipation @ T A = 25°C Derate above 25°C Operating Junction Temperature Range Storage Temperature Range Symbol VR PF MMBD701LT1 Value 70 280 2.8 T 200 2.0 mW mW/°C °C J T stg Unit Volts –55 to +125 –55 to +150 °C DEVICE MARKING MMBD701LT1 = 5H ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C unless otherwise noted) Characteristic Reverse Breakdown Voltage (I Min typ Max Unit Volts V (BR)R 70 — — Total Capacitance (V R = 20 V, f = 1.0 MHz) Figure 1 CT — 0.5 1.0 pF Reverse Leakage (V R = 35 V) Figure 3 I — 9.0 200 nAdc Forward Voltage (I F = 1.0 mAdc) Figure 4 V F — 0.42 0.5 Vdc Forward Voltage (I F = 10 mAdc) Figure 4 V F — 0.7 1.0 Vdc R = 10µAdc) Symbol R NOTE: MMBD701LT1 is also available in bulk packaging. Use MMBD701L as the device title to order this device in bulk. G18–1/2
MOT
1999年8月4日、ディスクリート・標準アナログ・標準ロジックなどの半導体部門をオン・セミコンダクターとして分社化した。これは、イリジウムコミュニケーションズ倒産の損失をカバーするために分社化された。
ON Semiconductor
U.S.A
オン・セミコンダクターの前身は、モトローラ社の半導体コンポーネント・グループであり、モトローラ社のディスクリート、標準アナログ、標準ロジック・デバイスを継続して製造。
お買い上げ小計が１万円以上の場合は送料はサービスさせて頂きます。１万円未満の場合、また時間指定便はお客様負担となります。（送料は地域により異なります。）
