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部品型式

2SD1403

製品説明
仕様・特性

2SD1403 Transistors Si NPN Power BJT Military/High-RelN V(BR)CEO (V)800 V(BR)CBO (V)1.5k I(C) Max. (A)6.0 Absolute Max. Power Diss. (W)120 Maximum Operating Temp (øC)140õ I(CBO) Max. (A)10uØ @V(CBO) (V) (Test Condition) V(CE)sat Max. (V) @I(C) (A) (Test Condition) @I(B) (A) (Test Condition) h(FE) Min. Current gain.8.0 h(FE) Max. Current gain.4.0k @I(C) (A) (Test Condition)5.0 @V(CE) (V) (Test Condition)5.0 f(T) Min. (Hz) Transition Freq3.0M @I(C) (A) (Test Condition) @V(CE) (V) (Test Condition) t(d) Max. (s) Delay time. t(r) Max. (s) Rise time t(on) Max. (s) On time.

ブランド

SAMSUNG

会社名

Samsung Electronics Co., Ltd

本社国名

韓国

事業概要

DRAM製品、モバイル機器の製造販売メーカー

供給状況

　
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