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BFS20
BFS20 BFS20 Surface Mount Si-Epi-Planar Transistors Si-Epi-Planar Transistoren für die Oberflächenmontage NPN NPN Version 2012-11-26 Power dissipation – Verlustleistung 1.1 2.9 ±0.1 0.4 Plastic case Kunststoffgehäuse 1 1.3±0.1 2.5 max 3 Type Code 200 mW 2 1.9 Dimensions - Maße [mm] 1=B 2=E 3=C SOT-23 (TO-236) Weight approx. – Gewicht ca. 0.01 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C) BFS20 Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO 20 V Collector-Base-volt. – Kollektor-Base-Spannung E open VCBO 30 V Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung C open VEBO 4V Ptot 200 mW 1) Collector current – Kollektorstrom (dc) IC 25 mA Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -55...+150°C -55…+150°C Power dissipation – Verlustleistung Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Min. Typ. Max. hFE 40 – 140 ICB0 – – 100 nA IEB0 – – 100 µA 2 DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ) VCE = 10 V, IC = 7 mA Collector cutoff current – Kollektor-Reststrom VCB = 20 V Emitter-cutoff current – Emitter-Reststrom VEB = 4 V 1 2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
PHILIPS
2006年8月フィリップス社が半導体部門を投資家グループに売却しKASLION Acquisition B.V.の名称で法人化。2010年5月 社名を現在のNXPセミコンダクターズN.V.に変更。
NXP
NXP Semiconductors
オランダ
高性能ミックスドシグナルICのほか、ディスクリートなどの汎用製品をグローバルに提供している。
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