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HZ24BP-TK
HZ2A1 ... HZ36-3 (500 mW) HZ2A1 ... HZ36-3 (500 mW) Silicon Planar Zener Diodes Silizium-Planar-Zener-Dioden Version 2012-11-19 Maximum power dissipation Maximale Verlustleistung 3.9 62.5 Nominal Z-voltage Nominale Z-Spannung 1.6...38 V Glass case Glasgehäuse ±0.4 ±3 Ø 1.9±0.1 500 mW ~ DO-35 ~ (SOD-27) Weight approx. Gewicht ca. Ø max 0.5 0.13 g Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Dimensions - Maße [mm] All of these special type zener diodes are available only on request. Alle Typen dieser speziellen Zenerdioden sind nur auf Anfrage erhältlich. Maximum ratings and Characteristics Grenz- und Kennwerte ZPD-series Power dissipation Verlustleistung TA = 25°C Ptot 500 mW 1) Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+175°C -50...+175°C Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 300 K/W 1) Thermal resistance junction to lead Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht RthL < 240 K/W Zener voltages see table on next page – Zener-Spannungen siehe Tabelle auf der nächsten Seite 2 1 2 Valid, if leads are kept at ambient temperatere at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
HITACHI
NECエレクトロニクスは平成14年にNECから、ルネサスは平成15年に日立製作所及び三菱電機からそれぞれ分離独立する形で設立された半導体専業企業であり両者は合併した。
RENESAS
ルネサス エレクトロニクス株式会社
日本
2010年（平成22年）4月に設立された大手半導体メーカー。半導体製品の研究開発・製造・販売・サービス。主力製品は、マイコン(CISC、RISC)、パワーデバイス、アナログ＆ミックスドシグナルIC、汎用IC、高周波デバイス、光半導体、車載用LSI、産業用LSI、メモリ、ASIC、USB ASSP、システムLSI
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