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部品型式

SI4410DY

製品説明
仕様・特性

Si4410DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) D TrenchFETr Power MOSFET rDS(on) (W) 0.0135 @ VGS = 10 V 10 0.020 @ VGS = 4.5 V 30 ID (A) 8 D SO-8 S 1 8 D S 2 7 D S 3 6 D G 4 5 D G Top View S Ordering Information: Si4410DY-REVA Si4410DY-T1-REVA (with Tape and Reel) Si4410DY-REVA-E3 (Lead free) Si4410DY-T1-A-E3 (Lead free with Tape and Reel) N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED) Parameter Symbol Limit Drain-Source Voltage VDS 30 Gate-Source Voltage VGS "20 Continuous Drain Current (TJ = 150_C)a TA = 25_C TA = 70_C Pulsed Drain Current ID 8 Maximum Power Dissipationa TA = 70_C Operating Junction and Storage Temperature Range 50 IS TA = 25_C V 10 IDM Continuous Source Current (Diode Conduction)a Unit A 2.3 PD 2.5 1.6 W TJ, Tstg - 55 to 150 _C Symbol Limit Unit Maximum Junction-to-Ambienta RthJA 50 Maximum Junction-to-Foot (Drain) RthJF 22 THERMAL RESISTANCE RATINGS Parameter _C/W Notes a. Surface Mounted on FR4 Board, t v 10 sec. Document Number: 71726 S-40838—Rev. L, 03-May-04 www.vishay.com 1

ブランド

RENESAS

会社名

ルネサス エレクトロニクス株式会社

本社国名

日本

事業概要

2010年（平成22年）4月に設立された大手半導体メーカー。半導体製品の研究開発・製造・販売・サービス。主力製品は、マイコン(CISC、RISC)、パワーデバイス、アナログ＆ミックスドシグナルIC、汎用IC、高周波デバイス、光半導体、車載用LSI、産業用LSI、メモリ、ASIC、USB ASSP、システムLSI

供給状況

　
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