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部品型式

FDR8702H

製品説明
仕様・特性

FDR8702H 20V N & P-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features These N & P-Channel MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance. • N channel RDS(ON) = 38 mΩ @ VGS = 4.5 V 3.6 A, 20V RDS(ON) = 54 mΩ @ VGS = 2.5 V • P channel RDS(ON) = 80 mΩ @ VGS = –4.5 V RDS(ON) = 110 mΩ @ VGS = –2.5 V –2.6 A, –20V Applications • Fast switching speed. DC/DC converter • High performance trench technology for extremely Power management low RDS(ON) D D 44 3 3 6 D Q1(N) 7 TM SuperSOT -8 G1 S1 G2 Absolute Maximum Ratings Symbol Q2(P) 5 D 2 2 1 1 8 S2 TA=25oC unless otherwise noted Parameter Ratings Units VDSS Drain-Source Voltage Q1 (N) 20 VGSS Gate-Source Voltage ±12 ±8 V ID Drain Current– Continuous 3.6 –2.6 A PD Power Dissipation for Single Operation TJ, TSTG Operating and Storage Junction Temperature Range (Note 1a) – Pulsed Q2 (P) –20 15 V –10 0.8 W –55 to +150 °C 146 76 °C/W (Note 1b) (Note 1) 40 (Note 1a) Thermal Characteristics RθJA RθJC Thermal Resistance, Junction-to-Ambient Thermal Resistance, Junction-to-Case (Note 1a) Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Reel Size Tape width Quantity .8702 FDR8702H 13’’ 12mm 2500 units 2003 Fairchild Semiconductor Corp. FDR8702H Rev C (W) FDR8702H March 2003 Symbol A = 25°C unless otherwise noted Parameter Test Conditions Q Min Typ Max Units Q1 0.7 A Q2 Q1 Q2 Q1 Q2 Q1 Q2 Q1 Q2 –0.7 1.2 –1.2 Drain-Source Diode Characteristics IS Maximum Continuous Drain–Source Diode Forward Current VSD Drain-Source Diode Forward Voltage VGS = 0 V, IS = 0.7A, Note 2 VGS = 0 V, IS = –0.7A, Note 2 trr Reverse Recovery Time Irm Maximum Reverse Recovery Current For Q1: IF = 3.6A, dIF/dt = 100A/µs Qrr Reverse Recovery Charge For Q2: IF = –2.6A, dIF/dt = 100A/µs 0.7 –0.7 16 22 0.6 0.7 5 8 V ns A nC Notes: 1. RθJA is the sum of the junction-to-case and case-to-ambient thermal resistance where the case thermal reference is defined as the solder mounting surface of the drain pins. RθJC is guaranteed by design while RθCA is determined by the user's board design. a) 76°C/W when 2 mounted on a 1in pad of 2 oz copper b) 146°C/W when mounted on a minimum pad of 2 oz copper Scale 1 : 1 on letter size paper 2. Pulse Test: Pulse Width < 300µs, Duty Cycle < 2.0% FDR8702H Rev C (W) FDR8702H Electrical Characteristics T

ブランド

FAIRCHILD

会社名

Fairchild Semiconductor International, Inc

本社国名

U.S.A

事業概要

アメリカ合衆国の半導体メーカー。世界で初めて半導体集積回路の商業生産を開始した企業である。後に同社からは様々な人材が独立、幾つかはインテルを始めとする世界的な半導体メーカーへと成長していった。

供給状況

 
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