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部品型式

2SB1151-L

製品説明
仕様・特性

Inchange Semiconductor Product Specification 2SB1151 Silicon PNP Power Transistors ・ DESCRIPTION ・With TO-126 package ・Complement to type 2SD1691 ・Low saturation voltage ・Large current ・High total power dissipation:PT=1.3W ・Large current capability and wide SOA APPLICATIONS ・DC-DC converter ・Driver of solenoid or motor PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter 2 Collector;connected to mounting base 3 Base 体 半导 电 固 Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO PARAMETER OND IC TOR UC SEM E VALUE UNIT Open emitter -60 V Collector-emitter voltage Open base -60 V Emitter-base voltage Open collector -7 V ANG INCH Collector-base voltage CONDITIONS IC Collector current (DC) -5 A ICM Collector current-Peak -8 A IB Base current -1 A PD Total power dissipation Ta=25℃ 1.3 TC=25℃ 20 W Tj Junction temperature 150 ℃ Tstg Storage temperature -55~150 ℃

ブランド

NEC

現況

NECエレクトロニクスは平成14年にNECから、ルネサスは平成15年に日立製作所及び三菱電機からそれぞれ分離独立する形で設立された半導体専業企業であり両者は合併した。

現ブランド

RENESAS

会社名

ルネサス エレクトロニクス株式会社

本社国名

日本

事業概要

2010年(平成22年)4月に設立された大手半導体メーカー。半導体製品の研究開発・製造・販売・サービス。主力製品は、マイコン(CISC、RISC)、パワーデバイス、アナログ&ミックスドシグナルIC、汎用IC、高周波デバイス、光半導体、車載用LSI、産業用LSI、メモリ、ASIC、USB ASSP、システムLSI

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