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2N2613
2N2613 Transistors Ge PNP Lo-Pwr BJT Military/High-RelN V(BR)CEO (V)25ã V(BR)CBO (V)30 I(C) Max. (A)50m Absolute Max. Power Diss. (W)120m Maximum Operating Temp (øC)100þ I(CBO) Max. (A)5.0uØ @V(CBO) (V) (Test Condition) h(FE) Min. Current gain. h(FE) Max. Current gain. @I(C) (A) (Test Condition) @V(CE) (V) (Test Condition) h(fe) Min. SS Current gain.120ó @I(C) (A) (Test Condition)500m @V(CE) (V) (Test Condition)4.0 @Freq. (Hz) (Test Condition) f(T) Min. (Hz) Transition Freq4.0M @I(C) (A) (Test Condition) @V(CE) (V) (Test Condition) C(obo) (Max) (F) @V(CB) (V) (Test Condition)
INTERSIL
1999年8月に、Harris Corporationの半導体事業の取得によって発足したグローバル企業である。
Intersil
パワーマネジメントIC企業であり、産業、インフラ、モバイル、車載、航空宇宙機器向けの高効率パワーマネジメントと高精度アナログ技術の開発に携わっている。
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