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SI1413DH-T1
Si1413DH Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) - 2.9 0.155 at VGS = - 2.5 V - 2.4 0.220 at VGS = - 1.8 V • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFETs: 1.8 V Rated • Thermally Enhanced SC-70 Package • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC ID (A) 0.115 at VGS = - 4.5 V - 20 RDS(on) (Ω) - 2.0 APPLICATIONS • Load Switching • PA Switch • Level Switch SOT-363 SC-70 (6-LEADS) 1 6 D D 2 5 D G 3 4 S Marking Code BC XX YY D Lot Traceability and Date Code Part # Code Top View Ordering Information: Si1413DH-T1-E3 (Lead (Pb)-free) Si1413DH-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 °C, unless otherwise noted Parameter Symbol 5s Steady State Drain-Source Voltage VDS - 20 Gate-Source Voltage VGS ±8 Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a TA = 25 °C TA = 85 °C Continuous Diode Current (Diode Conduction)a IS TA = 25 °C TA = 85 °C PD - 2.3 - 2.0 - 1.6 -8 - 1.4 A - 0.9 1.56 1.0 0.81 0.52 TJ, Tstg Operating Junction and Storage Temperature Range V - 2.9 IDM Pulsed Drain Current Maximum Power Dissipationa ID Unit - 55 to 150 W °C THERMAL RESISTANCE RATINGS Parameter Maximum Junction-to-Ambienta Maximum Junction-to-Foot (Drain) Symbol t≤5s Steady State Steady State RthJA RthJF Typical Maximum 60 80 100 125 34 Unit 45 °C/W Note: a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board. Document Number: 71878 S10-0935-Rev. B, 19-Apr-10 www.vishay.com 1
VISHAY
Vishay Intertechnology,Inc
U.S.A
ビシェイ社は、シリコニクス(Siliconix)、テレフンケン(Telefunken) 、インフィニ オン(Infineon)の赤外線部品部門、ゼネラルセミコンダクター(General Semiconductor)、デール (Dale)、ドラロリック(Draloric)、スプラーグ(Sprague)、ビトラモン(Vitramon)、BCコンポーネンツ （BCcomponents）（前身はフィリップス・エレクトロニクス）およびバイシュラグ(Beyschlag)などの一流企業の戦略的買収活動を重ね世界でもトップクラスの メーカーに成長しました。ビシェイ社の個別半導体および受動部品製品ブランドのポートフォリオは世界最大です。ビシェイ社はシングルサプライヤーとして、これら全ての製品とブランドを提供しています。
見積依頼→在庫確認→見積回答→注文→検収→支払 となります。
