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部品型式

EBG3433S

製品説明
仕様・特性

DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2SK3433 SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET ORDERING INFORMATION DESCRIPTION The 2SK3433 is N-channel MOS Field Effect Transistor PART NUMBER designed for high current switching applications. PACKAGE 2SK3433 RDS(on)1 = 26 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 20 A) TO-263 2SK3433-Z • Super low on-state resistance: TO-262 2SK3433-ZJ FEATURES TO-220AB 2SK3433-S TO-220SMDNote Note TO-220SMD package is produced only RDS(on)2 = 41 mΩ MAX. (VGS = 4.0 V, ID = 20 A) in Japan. • Low Ciss: Ciss = 1500 pF TYP. • Built-in gate protection diode (TO-220AB) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C) Drain to Source Voltage (VGS = 0 V) VDSS 60 V Gate to Source Voltage (VDS = 0 V) VGSS ±20 V ID(DC) ±40 A ID(pulse) ±80 A Total Power Dissipation (TC = 25°C) PT 47 W Total Power Dissipation (TA = 25°C) PT 1.5 W Drain Current (DC) (TC = 25°C) Drain Current (pulse) Note1 Channel Temperature Tch 150 °C Storage Temperature Tstg −55 to +150 (TO-262) °C Single Avalanche Current Note2 IAS 21 A Single Avalanche Energy Note2 EAS 44 mJ Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty cycle ≤ 1% 2. Starting Tch = 25°C, VDD = 30 V, RG = 25 Ω, VGS = 20 → 0 V (TO-263, TO-220SMD) The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please confirm that this is the latest version. Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for availability and additional information. Document No. D14602EJ4V0DS00 (4th edition) Date Published July 2002 NS CP(K) Printed in Japan The mark 5 shows major revised points. © 1999, 2001

ブランド

STANLEY

会社名

スタンレー電気株式会社

本社国名

日本

事業概要

自動車機器、電子機器に組み込まれるLED製品の製造販売メーカー。

供給状況

 
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