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部品型式

2SC2712GR

製品説明
仕様・特性

2SC2712 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC2712 Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications • High voltage and high current: VCEO = 50 V, IC = 150 mA (max) • Unit: mm Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1 mA)/ hFE (IC = 2 mA) = 0.95 (typ.) • High hFE: hFE = 70 to 700 • Low noise: NF = 1dB (typ.), 10dB (max) • Complementary to 2SA1162 • Small package Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 60 V Collector-emitter voltage VCEO 50 V Emitter-base voltage VEBO 5 V Collector current IC 150 mA Base current IB 30 mA Collector power dissipation PC 150 mW Junction temperature Tj 125 °C Tstg −55 to 125 °C Storage temperature range JEDEC TO-236MOD JEITA SC-59 TOSHIBA 2-3F1A Weight: 0.012 g (typ.) Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings. Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc). Marking Start of commercial production 1982-10 1 2014-03-01

ブランド

TOSHIBA

会社名

株式会社 東芝セミコンダクター&ストレージ社

本社国名

日本

事業概要

半導体部門、DRAM、フラッシュメモリ、プロセッサ、汎用LSI

供給状況

 
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2SC2712-GR 590個 N/A N/A
2SC2712GR 524個 N/A N/A
2SC2712GR 14個 N/A N/A
2SC2712-GR 1066255個    
2SC2712-GR 108000個    
2SC2712-GR 27000個    

提携先在庫情報

型式 数量 D/C・lead 備考 選択
2SC2712GR(TE85L,F 152個    
2SC2712GR,LF(B 3000個    
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類似型番
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