デュアルインライン型
Bridge Diode
Dual In-Line Package
■外観図 OUTLINE
S1NBC□
Unit : mm
Weight : 0.29g typ.）
（
Package：1NA
6.8
800V 1.5A
④
品名略号
Type No.
特長
• 小型 DIP パッケージ
• 端子間 3.4mm
級表示
（例）
Class
①
④−
③∼
NC 80
0264
②∼
10
②
③
①＋
ロッ
ト記号
（例）
Date code
Feature
• Small-DIP
• Pin-distance 3.4mm for isolation
2.6
Unit : mm
Weight : 0.29g typ.）
（
Package：1NA
6.8
④
品名略号
Type No.
級表示
（例）
Class
④−
NC 80
0264
③
①＋
③∼
①
②∼
6.5
②
ロッ
ト記号
（例）
Date code
2.5
4.4
外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下
さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings（指定のない場合 Tl = 25℃／unless otherwise speci
項 目
Item
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
品 名
Type No.
記号
条 件
Symbol Conditions
S1NBC60
S1NBC80
−55∼150
℃
Tj
150
℃
VRM
600
800
IO
IFSM
2
It
50Hz 正弦波，抵抗負荷
50Hz sine wave, Resistance load
1.0
0.84
50Hz 正弦波，非繰り返し１サイクルせん頭値，Tj = 25℃
50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃
１素子当たりの規格値
1ms≦t＜10ms，Tj=25℃，
per diode
A
60
A
10
A2s
●電気的・熱的特性 Electrical Characteristics（指定のない場合 Tl = 25℃／unless otherwise speci
順電圧
Forward Voltage
VF
逆電流
Reverse Current
IR
IF = 0.75A,
VR = VRM,
パルス測定，１素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
パルス測定，１素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
θjl
熱抵抗
Thermal Resistance
接合部・周囲間
Junction to Ambient
*1：プリント基板実装，銅箔パターン324mm2 pad area 324mm2
On glass-epoxy substrate, copper soldering
2
*2：プリント基板実装，銅箔パターン101mm pad area 101mm2
On glass-epoxy substrate, copper soldering
28
（J534）
MAX
1.05
MAX
10
MAX
*1
MAX
68
*2
MAX
84
）
15
接合部・リード間
Junction to Lead
θja
V
1.5
Ta＝27℃ *1
Ta＝25℃ *2
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
電流二乗時間積
Current Squared Time
単位
Unit
Tstg
Tl ＝ 105℃
出力電流
Average Rectified Forward Current
）
V
μA
℃/W
