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D2004
TetraFET D2004UK ROHS COMPLIANT METAL GATE RF SILICON FET MECHANICAL DATA GOLD METALLISED MULTI-PURPOSE SILICON DMOS RF FET 10W – 28V – 1GHz PUSH–PULL A C B (2 pls) K 3 2 1 E D 5 4 G (4 pls) F FEATURES • SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN H J M I N • SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS DK PIN 1 SOURCE (COMMON) PIN 2 DRAIN 1 • VERY LOW Crss PIN 3 DRAIN 2 GATE 2 • SIMPLE BIAS CIRCUITS PIN 5 GATE 1 PIN 4 • LOW NOISE DIM A B C D E F G H I J K M N mm 6.45 1.65R 45° 16.51 6.47 18.41 1.52 4.82 24.76 1.52 0.81R 0.13 2.16 Tol. 0.13 0.13 5° 0.76 0.13 0.13 0.13 0.25 0.13 0.13 0.13 0.02 0.13 Inches 0.254 0.065R 45° 0.650 0.255 0.725 0.060 0.190 0.975 0.060 0.032R 0.005 0.085 Tol. 0.005 0.005 5° 0.03 0.005 0.005 0.005 0.010 0.005 0.005 0.005 0.001 0.005 • HIGH GAIN – 10 dB MINIMUM APPLICATIONS • HF/VHF/UHF COMMUNICATIONS from DC to 2 GHz ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C unless otherwise stated) PD BVDSS BVGSS ID(sat) Tstg Tj Power Dissipation Drain – Source Breakdown Voltage * Gate – Source Breakdown Voltage * Drain Current * Storage Temperature Maximum Operating Junction Temperature 58W 65V ±20V 2A –65 to 150°C 200°C * Per Side Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612. Website: http://www.semelab.co.uk E-mail: sales@semelab.co.uk Prelim. 01/01
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