HOME＞在庫検索＞在庫情報
JANTX2N5038
TECHNICAL DATA NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/439 Devices Qualified Level 2N5038 JAN JANTX JANTXV 2N5039 MAXIMUM RATINGS Ratings Collector-Emitter Voltage Collector-Base Voltage Emitter-Base Voltage Base Current Collector Current Total Power Dissipation @ TC = +250C (1) Operating & Storage Temperature Range Symbol 2N5038 2N5039 Units VCEO VCBO VEBO IB IC PT 90 150 75 125 Vdc Vdc Vdc Adc Adc W Top, Tstg 7.0 5.0 20 140 0 -65 to +200 C TO-3* (TO-204AA) THERMAL CHARACTERISTICS Characteristics Symbol Thermal Resistance, Junction-to-Case RθJC 1) Derate linearly 800 mW/0C for TC > +250C Max. 1.25 Unit C/W 0 *See appendix A for package outline ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 250C unless otherwise noted) Characteristics Symbol Min. Max. Unit V(BR)CEO 90 75 Vdc V(BR)EBO 7.0 Vdc OFF CHARACTERISTICS Collector-Emitter Breakdown Voltage IC = 200 mAdc Emitter-Base Breakdown Voltage IE = 25 mAdc Collector-Base Cutoff Current VCE = 150 Vdc VCE = 125 Vdc Collector-Base Cutoff Current VCE = 70 Vdc VCE = 55 Vdc Emitter-Base Cutoff Current VEB = 5.0 Vdc Collector-Emitter Cutoff Current VBE = -1.5 Vdc VCE = 100 Vdc VBE = -1.5 Vdc VCE = 85 Vdc 2N5038 2N5039 2N5038 2N5039 ICBO 1.0 1.0 µAdc 2N5038 2N5039 ICEO 1.0 1.0 µAdc IEBO 1.0 µAdc ICEX 5.0 5.0 µAdc 2N5038 2N5039 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803 120101 Page 1 of 2
MOT
1999年8月4日、ディスクリート・標準アナログ・標準ロジックなどの半導体部門をオン・セミコンダクターとして分社化した。これは、イリジウムコミュニケーションズ倒産の損失をカバーするために分社化された。
ON Semiconductor
U.S.A
オン・セミコンダクターの前身は、モトローラ社の半導体コンポーネント・グループであり、モトローラ社のディスクリート、標準アナログ、標準ロジック・デバイスを継続して製造。
お買い上げ小計が１万円以上の場合は送料はサービスさせて頂きます。１万円未満の場合、また時間指定便はお客様負担となります。（送料は地域により異なります。）
