製品説明 仕様・特性: Data Sheet Schottky Barrier Diode RB521S-30 Applications General rectification Dimensions (Unit : mm) Land size figure (Unit : mm) 0.12±0.05 0.8 1.6±0.1 1.2±0.05 Features 1)Ultra small mold type. EMD2）（ 2)Low VF 3)High reliability 1.7 0.6 0.8±0.05 EMD2 Construction Silicon epitaxial planar Structure 0.3±0.05 0.6±0.1 ROHM : EMD2 JEDEC :SOD-523 JEITA : SC-79 dot (year week factory) Taping specifications(Unit : mm) 0.2±0.05 φ1.5±0.05 2.0±0.05 φ1.55±0.05 0.95±0.06 0.90±0.05 空ポケット Empty pocket 0 Absolute maximum ratings(Ta=25°C) Parameter Reverse voltage (DC) Average rectified forward current Forward current surge peak (60Hz ・1cyc) Junction temperature Storage temperature Electrical characteristics (Ta=25°C) Parameter Forward voltage Reverse current www.rohm.com © 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Limits Symbol VR Io IFSM Tj Tstg 2.0±0.05 4.0±0.1 0 1.25 0.06 1.26±0.05 0 3.5±0.05 0.6 1.25 0.06 1.3±0.06 0 0 2.40±0.05 2.45±0.1 φ0.5 8.0±0.15 1.75±0.1 4.0±0.1 0.2 0.76±0.05 0.75±0.05 Unit V mA A °C °C 30 200 1 125 -40 to +125 Conditions Symbol VF Min. Typ. Max. Unit - - 0.50 V IF=200mA IR - - 30 μA VR=10V 1/3 2011.03 - Rev.F

事業概要: 炭素皮膜抵抗の特許を元に創業した。社名のROHM（R:抵抗 Ohm:抵抗を示す単位）はそこに由来する。その後、大規模集積回路の製造を手がけ始め、現在は様々な機能を顧客の要望に応じてLSI上に集積するカスタムLSIが主力となっている。

データシート

型式	数量	D/C・lead	備考	選択
RB521S-30TE61	790個	N/A	N/A

型式	数量	D/C・lead	備考	選択
RB521S30TE61	3000個	2008+　PBF

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RB521S30T1	RB521S30T1G	RB521S30T5G	RB521S-30TE61	RB521S-30TE61PBFEMD2
RB521S-30TE61RB521S-30F	RB521S-30-TP

RB521S-30TE61 ROHM

部品型式