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RSX201VA-30
Data Sheet Schottky Barrier Diode RSX201VA-30 Applications General rectification Dimensions (Unit : mm) Land size figure (Unit : mm) 1.1 0.17±0.1 0.05 1.9±0.1 3)High reliability 2.5±0.2 Features 1)Small mold type (TUMD2) 2)Low VF& Low IR 0.8 0. 2.0 1.3±0.05 TUMD2 Construction Silicon epitaxial planer Structure 0.8±0.05 ROHM : TUMD2 dot (year week factory) 0.6±0.2 0.1 Taping dimensions (Unit : mm) φ1.5±0.1 0 0.25±0.05 1.43±0.05 Absolute maximum ratings (Ta=25°C) Parameter Symbol VRM Reverse voltage (repetitive) VR Reverse voltage (DC) Average rectified forward current Io (On the Almina substrate) Average rectified forward current Io (On the Glass epoxy substrate) IFSM Forward current surge peak （60Hz・1cyc） Junction temperature Tj Storage temperature Tstg Electrical characteristics (Ta=25°C) Parameter Symbol Forward voltage Reverse current 2.8±0.05 2.75 8.0±0.2 3.5±0.05 1.75±0.1 2.0±0.05 4.0±0.1 φ1.0±0.2 0 4.0±0.1 Limits 30 30 Unit V V 1.5 A 1.0 A 8 125 - 40 to +125 0.9±0.08 A °C °C Min. Typ. Max. Unit VF1 - 0.36 0.42 V IF=1A VF2 - 0.40 0.46 V IF=1.5A IR1 - 15 70 60 300 μA μA VR=5V VR=30V IR2 www.rohm.com © 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/4 Conditions 2011.11 - Rev.A
ROHM
ローム株式会社
日本
炭素皮膜抵抗の特許を元に創業した。社名のROHM（R:抵抗 Ohm:抵抗を示す単位）はそこに由来する。その後、大規模集積回路の製造を手がけ始め、現在は様々な機能を顧客の要望に応じてLSI上に集積するカスタムLSIが主力となっている。
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