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MMBTA06LT1
MMBTA06LT1 Transistors Si NPN Lo-Pwr BJT Military/High-RelN V(BR)CEO (V)80 V(BR)CBO (V)80 I(C) Max. (A)500m Absolute Max. Power Diss. (W)225m Maximum Operating Temp (øC)150õ I(CBO) Max. (A)100n @V(CBO) (V) (Test Condition)80 V(CE)sat Max. (V).25 @I(C) (A) (Test Condition)100m @I(B) (A) (Test Condition)10m h(FE) Min. Current gain.100 h(FE) Max. Current gain. @I(C) (A) (Test Condition)10m @V(CE) (V) (Test Condition)1.0 f(T) Min. (Hz) Transition Freq100M @I(C) (A) (Test Condition)10m @V(CE) (V) (Test Condition)2.0 C(obo) (Max) (F) @V(CB) (V) (Test Condition) @Freq. (Hz) (Test Condition)
MOT
1999年8月4日、ディスクリート・標準アナログ・標準ロジックなどの半導体部門をオン・セミコンダクターとして分社化した。これは、イリジウムコミュニケーションズ倒産の損失をカバーするために分社化された。
ON Semiconductor
U.S.A
オン・セミコンダクターの前身は、モトローラ社の半導体コンポーネント・グループであり、モトローラ社のディスクリート、標準アナログ、標準ロジック・デバイスを継続して製造。
宅配業者の代金引換又は商品到着後一週間以内の銀行振込となります。
