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SI4463DY-T1
Si4463DY Vishay Siliconix P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) FEATURES rDS(on) (W) 0.014 @ VGS = −4.5 V −13 0.020 @ VGS = −2.5 V −20 D Lead (Pb)-Free Version is RoHS Compliant ID (A) −11 Available S SO-8 S 1 8 D S 2 7 D S 3 6 D G 4 5 D G D Top View P-Channel MOSFET Ordering Information: Si4463DY-T1 Si4463DY-T1—E3 (Lead (Pb)-Free) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED) Parameter Symbol 10 secs Steady State Drain-Source Voltage VDS −20 Gate-Source Voltage VGS "12 Unit Continuous Drain Current (TJ = 150_C)a TA = 25_C TA = 70_C Pulsed Drain Current ID −13 −9 −10 −7 IDM continuous Source Current (Diode Conduction)a IS TA = 25_C Maximum Power Dissipationa TA = 70_C Operating Junction and Storage Temperature Range PD V −50 −2.7 −1.36 3.0 1.5 1.9 0.95 A TJ, Tstg −55 to 150 W _C THERMAL RESISTANCE RATINGS Parameter Maximum J M i Junction-to-Ambienta ti t A bi t Maximum Junction-to-Foot (Drain) Symbol t v 10 sec Steady State Steady State RthJF Maximum 33 RthJA Typical 42 70 84 16 Unit 21 _C/W C/W Notes a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board. Document Number: 71819 S-50694—Rev. C, 18-Apr-05 www.vishay.com 1
OKI
2008年10月1日 - OKIセミコンダクタ株式会社設立。同時に株式の95%の900億円をロームに譲渡。 2011年10月1日 - ラピスセミコンダクタ株式会社に社名変更 。
ラピスセミコンダクタ株式会社
沖電気工業
通信機器、現金自動預け払い機 (ATM) 等の情報機器を主体に製造するメーカーである。2008年半導体部門はOKIセミコンダクタ株式会社とした。
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