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2SC2073
2SC2073 Transistors Si NPN Power BJT Military/High-RelN V(BR)CEO (V)150 V(BR)CBO (V)150 I(C) Max. (A)1.5 Absolute Max. Power Diss. (W)1.5 Maximum Operating Temp (øC)150õ I(CBO) Max. (A)10uØ @V(CBO) (V) (Test Condition)120 V(CE)sat Max. (V)1.5 @I(C) (A) (Test Condition)500m @I(B) (A) (Test Condition)50m h(FE) Min. Current gain.40 h(FE) Max. Current gain.140 @I(C) (A) (Test Condition)500m @V(CE) (V) (Test Condition)10 f(T) Min. (Hz) Transition Freq4.0MÂ @I(C) (A) (Test Condition)500m @V(CE) (V) (Test Condition)10 t(d) Max. (s) Delay time. t(r) Max. (s) Rise time t(on) Max. (s) On time.
TOSHIBA
株式会社 東芝セミコンダクター＆ストレージ社
日本
半導体部門、DRAM、フラッシュメモリ、プロセッサ、汎用LSI
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