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部品型式

65PWB31

製品説明
仕様・特性

CPH6531 Ordering number : ENA0521 SANYO Semiconductors DATA SHEET CPH6531 PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor DC / DC Converter Applications Applications • Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, flash. Features • • • Composite type with two PNP transistors contained in one package facilitating high-density mounting. The two chips contained are equivalent to the CPH3116. Ultrasmall package permitting applied sets to be small and slim. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Collector-to-Base Voltage VCBO -50 V Collector-to-Emitter Voltage VCES -50 V Collector-to-Emitter Voltage VCEO -50 V Emitter-to-Base Voltage VEBO --5 V IC --1.0 A Base Current ICP IB --200 mA Collector Dissipation PC Mounted on a ceramic board (600mm2✕0.8m) 1unit 0.9 W Total Power Dissipation PT Mounted on a ceramic board (600mm2✕0.8m) 1.1 W Junction Temperature Tj 150 °C Storage Temperature Tstg --55 to +150 °C Collector Current Collector Current (Pulse) --2 A Electrical Characteristics at Ta=25°C Parameter Collector Cutoff Current Emitter Cutoff Current DC Current Gain Symbol ICBO IEBO Conditions typ max Unit VCB=--40V, IE=0A --0.1 µA VEB=--4V, IC=0A --0.1 µA hFE fT VCE=--2V, IC=--100mA Gain-Bandwidth Product Output Capacitance Cob VCB=--10V, f=1MHz Marking : ES Ratings min VCE=--10V, IC=--300mA 200 560 420 9 MHz pF Continued on next page. Any and all SANYO Semiconductor products described or contained herein do not have specifications that can handle applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft's control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious physical and/or material damage. Consult with your SANYO Semiconductor representative nearest you before using any SANYO Semiconductor products described or contained herein in such applications. SANYO Semiconductor assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other parameters) listed in products specifications of any and all SANYO Semiconductor products described or contained herein. TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN 11007EA TI IM TC-00000426 No. A0521-1/4

ブランド

NEC

現況

NECエレクトロニクスは平成14年にNECから、ルネサスは平成15年に日立製作所及び三菱電機からそれぞれ分離独立する形で設立された半導体専業企業であり両者は合併した。

現ブランド

RENESAS

会社名

ルネサス エレクトロニクス株式会社

本社国名

日本

事業概要

2010年(平成22年)4月に設立された大手半導体メーカー。半導体製品の研究開発・製造・販売・サービス。主力製品は、マイコン(CISC、RISC)、パワーデバイス、アナログ&ミックスドシグナルIC、汎用IC、高周波デバイス、光半導体、車載用LSI、産業用LSI、メモリ、ASIC、USB ASSP、システムLSI

供給状況

 
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