製品説明 仕様・特性: SE6002 Transistors Si NPN Lo-Pwr BJT Military/High-RelN V(BR)CEO (V)30 V(BR)CBO (V)40 I(C) Max. (A) Absolute Max. Power Diss. (W)300m Maximum Operating Temp (øC)125õ I(CBO) Max. (A).50uØ @V(CBO) (V) (Test Condition) V(CE)sat Max. (V) @I(C) (A) (Test Condition) @I(B) (A) (Test Condition) h(FE) Min. Current gain.150 h(FE) Max. Current gain. @I(C) (A) (Test Condition)10m @V(CE) (V) (Test Condition)10 f(T) Min. (Hz) Transition Freq40M @I(C) (A) (Test Condition) @V(CE) (V) (Test Condition) C(obo) (Max) (F)25p @V(CB) (V) (Test Condition) @Freq. (Hz) (Test Condition)

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SE6002 93057

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