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部品型式

2G110

製品説明
仕様・特性

2G110 Transistors Ge PNP Lo-Pwr BJT Military/High-RelN V(BR)CEO (V)15 V(BR)CBO (V)36 I(C) Max. (A)50m Absolute Max. Power Diss. (W)300m Maximum Operating Temp (øC)100õ I(CBO) Max. (A)10u @V(CBO) (V) (Test Condition) h(FE) Min. Current gain. h(FE) Max. Current gain. @I(C) (A) (Test Condition) @V(CE) (V) (Test Condition) h(fe) Min. SS Current gain.15 @I(C) (A) (Test Condition)50mä @V(CE) (V) (Test Condition)3.0Õ @Freq. (Hz) (Test Condition) f(T) Min. (Hz) Transition Freq200M @I(C) (A) (Test Condition) @V(CE) (V) (Test Condition) C(obo) (Max) (F)3.5p @V(CB) (V) (Test Condition)

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