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部品型式

2SD900

製品説明
仕様・特性

2SD900 Transistors Si NPN Power BJT Military/High-RelN V(BR)CEO (V) V(BR)CBO (V) I(C) Max. (A)5.0 Absolute Max. Power Diss. (W)50 Maximum Operating Temp (øC)140õ I(CBO) Max. (A)500u× @V(CBO) (V) (Test Condition) V(CE)sat Max. (V) @I(C) (A) (Test Condition) @I(B) (A) (Test Condition) h(FE) Min. Current gain.13Â h(FE) Max. Current gain. @I(C) (A) (Test Condition)1.0 @V(CE) (V) (Test Condition)5.0 f(T) Min. (Hz) Transition Freq @I(C) (A) (Test Condition) @V(CE) (V) (Test Condition) t(d) Max. (s) Delay time. t(r) Max. (s) Rise time1.5u t(on) Max. (s) On time.

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