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部品型式

2G309

製品説明
仕様・特性

2G309 Transistors Ge PNP Lo-Pwr BJT Military/High-RelN V(BR)CEO (V) V(BR)CBO (V)15 I(C) Max. (A)100m Absolute Max. Power Diss. (W)150m Maximum Operating Temp (øC)100õ I(CBO) Max. (A)10u @V(CBO) (V) (Test Condition) h(FE) Min. Current gain. h(FE) Max. Current gain. @I(C) (A) (Test Condition) @V(CE) (V) (Test Condition) h(fe) Min. SS Current gain.160 @I(C) (A) (Test Condition)1.0mä @V(CE) (V) (Test Condition)6.0Õ @Freq. (Hz) (Test Condition) f(T) Min. (Hz) Transition Freq12M @I(C) (A) (Test Condition) @V(CE) (V) (Test Condition) C(obo) (Max) (F)12p @V(CB) (V) (Test Condition)

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