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部品型式

2SD556

製品説明
仕様・特性

2SD556 Transistors Si NPN Power BJT Military/High-RelN V(BR)CEO (V)80 V(BR)CBO (V)110 I(C) Max. (A)15 Absolute Max. Power Diss. (W)120 Maximum Operating Temp (øC)175õ I(CBO) Max. (A)1.0m @V(CBO) (V) (Test Condition) V(CE)sat Max. (V) @I(C) (A) (Test Condition) @I(B) (A) (Test Condition) h(FE) Min. Current gain.15 h(FE) Max. Current gain.100 @I(C) (A) (Test Condition)5.0 @V(CE) (V) (Test Condition)4.0 f(T) Min. (Hz) Transition Freq8.0M¦ @I(C) (A) (Test Condition) @V(CE) (V) (Test Condition) t(d) Max. (s) Delay time. t(r) Max. (s) Rise time1.9u t(on) Max. (s) On time.

ブランド

SAMSUNG

会社名

Samsung Electronics Co., Ltd

本社国名

韓国

事業概要

DRAM製品、モバイル機器の製造販売メーカー

供給状況

　
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