HOME＞在庫検索＞在庫情報

部品型式

2SD556

製品説明
仕様・特性

2SD556 Transistors Si NPN Power BJT Military/High-RelN V(BR)CEO (V)80 V(BR)CBO (V)110 I(C) Max. (A)15 Absolute Max. Power Diss. (W)120 Maximum Operating Temp (øC)175õ I(CBO) Max. (A)1.0m @V(CBO) (V) (Test Condition) V(CE)sat Max. (V) @I(C) (A) (Test Condition) @I(B) (A) (Test Condition) h(FE) Min. Current gain.15 h(FE) Max. Current gain.100 @I(C) (A) (Test Condition)5.0 @V(CE) (V) (Test Condition)4.0 f(T) Min. (Hz) Transition Freq8.0M¦ @I(C) (A) (Test Condition) @V(CE) (V) (Test Condition) t(d) Max. (s) Delay time. t(r) Max. (s) Rise time1.9u t(on) Max. (s) On time.

ブランド

SAMSUNG

会社名

Samsung Electronics Co., Ltd

本社国名

韓国

事業概要

DRAM製品、モバイル機器の製造販売メーカー

供給状況

　
Not pic File
お探し商品2SD556は、クレバーテックのSTAFFが在庫確認を行いメールにて結果を御報告致します。

「見積依頼」ボタンを押してお気軽にお問合せください。

●ご注文方法

弊社からの見積回答メールの返信又はFAXにてお願いします。


お取引内容はこちら

0.0505440235