HOME＞在庫検索＞在庫情報

部品型式

2SD556

製品説明
仕様・特性

2SD556 Transistors Si NPN Power BJT Military/High-RelN V(BR)CEO (V)80 V(BR)CBO (V)110 I(C) Max. (A)15 Absolute Max. Power Diss. (W)120 Maximum Operating Temp (øC)175õ I(CBO) Max. (A)1.0m @V(CBO) (V) (Test Condition) V(CE)sat Max. (V) @I(C) (A) (Test Condition) @I(B) (A) (Test Condition) h(FE) Min. Current gain.15 h(FE) Max. Current gain.100 @I(C) (A) (Test Condition)5.0 @V(CE) (V) (Test Condition)4.0 f(T) Min. (Hz) Transition Freq8.0M¦ @I(C) (A) (Test Condition) @V(CE) (V) (Test Condition) t(d) Max. (s) Delay time. t(r) Max. (s) Rise time1.9u t(on) Max. (s) On time.

ブランド

SAMSUNG

会社名

Samsung Electronics Co., Ltd

本社国名

韓国

事業概要

DRAM製品、モバイル機器の製造販売メーカー

供給状況

　
Not pic File
お探し商品2SD556は、弊社STAFFが市場確認を行いemailにて御回答致します。

「見積依頼」をクリックして　どうぞお進み下さい。


●当サイトの取引の流れ

見積依頼→在庫確認→見積回答→注文→検収→支払　となります。


お取引内容はこちら

0.0584039688