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部品型式

2SD560

製品説明
仕様・特性

DATA SHEET SILICON POWER TRANSISTOR 2SD560 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING The 2SD560 is a mold power transistor developed for low- ORDERING INFORMATION frequency power amplifiers and low-speed switching. This transistor is Ordering Name Package ideal for direct driving from the IC output of devices such as pulse 2SD560 TO-220AB motor drivers and relay drivers, and PC terminals. FEATURES (TO-220AB) • C-to-E reverse diode inserted • Low collector saturation voltage ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C) ° Ratings Unit Collector to base voltage Parameter VCBO 150 V Collector to emitter voltage VCEO 100 V Emitter to base voltage VEBO Collector current (DC) IC(DC) 7.0 ±5.0 A Collector current (pulse) IC(pulse) ±8.0 A Base current (DC) Symbol Conditions PW ≤ 10 ms, duty cycle ≤ 50% IB(DC) Total power dissipation PT Junction temperature 0.5 TC = 25°C Tj Storage temperature V Tstg TA = 25°C A 30 W 1.5 W 150 −55 to +150 °C °C INTERNAL EQUIVALENT CIRCUIT 1. Base 2. Collector 3. Emitter The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please confirm that this is the latest version. Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for availability and additional information. Document No. D14863EJ3V0DS00 (3rd edition) Date Published April 2002 N CP(K) Printed in Japan © 2002 1998

ブランド

NEC

現況

NECエレクトロニクスは平成14年にNECから、ルネサスは平成15年に日立製作所及び三菱電機からそれぞれ分離独立する形で設立された半導体専業企業であり両者は合併した。

現ブランド

RENESAS

会社名

ルネサス エレクトロニクス株式会社

本社国名

日本

事業概要

2010年（平成22年）4月に設立された大手半導体メーカー。半導体製品の研究開発・製造・販売・サービス。主力製品は、マイコン(CISC、RISC)、パワーデバイス、アナログ＆ミックスドシグナルIC、汎用IC、高周波デバイス、光半導体、車載用LSI、産業用LSI、メモリ、ASIC、USB ASSP、システムLSI

供給状況

　
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