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2SC5866TLQR
2SC5866 Transistor Medium power transistor (60V, 2A) 2SC5866 !External dimensions (Units : mm) 2.8 1.6 0.4 (1) (3) 1.9 (1)Base (2)Emitter (3)Collector 0.3 0.6 1.0MAX 0.85 Each lead has same dimensions 0 0.1 0.7 0.16 (2) 0.95 0.95 TSMT3 2.9 !Features 1) High speed switching. (Tf : Typ. : 35ns at IC = 2A) 2) Low saturation voltage, typically (Typ. : 200mV at IC = 1.0m, IB = 0.1A) 3) Strong discharge power for inductive load and capacitance load. 4) Complements the 2SA2094 Abbreviated symbol : VL !Applications Low frequency amplifier High speed switching !Structure NPN Silicon epitaxial planar transistor !Packaging specifications Package Type Code Basic ordering unit (pieces) Taping TL 3000 2SC5866 !Absolute maximum ratings (Ta=25°C) Parameter Symbol Limits Unit Collector-base voltage VCBO 60 V Collector-emitter voltage VCEO 60 V Emitter-base voltage VEBO 6 V IC 2 A ICP 4 A Power dissipation PC 500 mW Junction temperature Tj 150 °C Tstg −55~+150 °C Collector current Range of storage temperature ∗1 ∗2 ∗1 Pw=10ms ∗2 Each terminal mounted on a recommended land. 1/3
ROHM
ローム株式会社
日本
炭素皮膜抵抗の特許を元に創業した。社名のROHM（R:抵抗 Ohm:抵抗を示す単位）はそこに由来する。その後、大規模集積回路の製造を手がけ始め、現在は様々な機能を顧客の要望に応じてLSI上に集積するカスタムLSIが主力となっている。
見積依頼→在庫確認→見積回答→注文→検収→支払 となります。
