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DAP222TL
Data Sheet Switching Diode DAP222 Dimensions (Unit : mm) Land size figure (Unit : mm) 1.0 0.5 0.5 0.7 1.6±0.2 0.3±0.1 0.05 Features 1) Ultra small mold type. (EMD3) 2) High reliability. 0.15±0.05 0.7 0.7 (1) (2) 0.6 0.6 EMD3 0.55±0.1 0.5 0.5 1.0±0.1 Construction Silicon epitaxial planar 0~0.1 0.1Min 0.2±0.1 -0.05 1.6±0.2 0.8±0.1 (3) 1.3 Applications Ultra high speed switching 0.7±0.1 Structure ROHM : EMD3 JEDEC : SOT-416 JEITA : SC-75A dot (year week factory) Taping specifications(Unit : mm) φ1.55±0.1 φ1.5 0.1 0 0 2.0±0.05 0.3±0.1 8.0±0.2 0~0.1 1.8±0.1 5.5±0.2 1.8±0.2 3.5±0.05 1.75±0.1 4.0±0.1 φ0.5±0.1 0.9±0.2 Absolute maximum ratings(Ta=25°C) Parameter Reverse voltage (repetitive peak) Reverse voltage (DC) Forward current (single) Average rectified forward voltage (single) Surge current (t=1us) Power dissipation Junction temperature Storage temperature Electrical characteristics (Ta=25°C) Parameter Limits Symbol VRM VR IFM Io Isurge Pd Tj Tstg Unit V V mA mA A mW °C °C 80 80 300 100 4 150 150 55 to 150 Conditions Symbol VF Min. Typ. Max. Unit Forward voltage - - 1.2 V Reverse current IR - - 0.1 μA VR=70V Capacitance between terminals Ct - - 3.5 pF VR=6V , f=1MHz Reverse recovery time trr - - 4 ns VR=6V , IF=5mA , RL=50Ω www.rohm.com © 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/2 IF=100mA 2011.04 - Rev.B
ROHM
ローム株式会社
日本
炭素皮膜抵抗の特許を元に創業した。社名のROHM(R:抵抗 Ohm:抵抗を示す単位)はそこに由来する。その後、大規模集積回路の製造を手がけ始め、現在は様々な機能を顧客の要望に応じてLSI上に集積するカスタムLSIが主力となっている。
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