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2SC3405Z
2SC3405 Transistors Si NPN Power BJT Military/High-RelN V(BR)CEO (V)800 V(BR)CBO (V)900 I(C) Max. (A)800m Absolute Max. Power Diss. (W)1.0 Maximum Operating Temp (øC)140õ I(CBO) Max. (A)100u @V(CBO) (V) (Test Condition) V(CE)sat Max. (V) @I(C) (A) (Test Condition) @I(B) (A) (Test Condition) h(FE) Min. Current gain.12 h(FE) Max. Current gain. @I(C) (A) (Test Condition).10 @V(CE) (V) (Test Condition)5.0 f(T) Min. (Hz) Transition Freq @I(C) (A) (Test Condition) @V(CE) (V) (Test Condition) t(d) Max. (s) Delay time.1.0u® t(r) Max. (s) Rise time t(on) Max. (s) On time.
TOSHIBA
株式会社 東芝セミコンダクター＆ストレージ社
日本
半導体部門、DRAM、フラッシュメモリ、プロセッサ、汎用LSI
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