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部品型式

2SJ200-Y

製品説明
仕様・特性

2SJ200Y Transistors P-Channel Enhancement MOSFET Military/High-RelN V(BR)DSS (V)180 V(BR)GSS (V)20 I(D) Max. (A)10 I(DM) Max. (A) Pulsed I(D) @Temp (øC) IDM Max (@25øC Amb) @Pulse Width (s) (Condition) Absolute Max. Power Diss. (W)120# Minimum Operating Temp (øC) Maximum Operating Temp (øC)150õ Thermal Resistance Junc-Case Thermal Resistance Junc-Amb. V(GS)th Max. (V)2.8 V(GS)th (V) (Min)1.4 @(VDS) (V) (Test Condition)10 @I(D) (A) (Test Condition)100m I(DSS) Max. (A)1.0m @V(DS) (V) (Test Condition)180 @Temp (øC) (Test Condition)25 I(GSS) Max. (A)500n

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