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RB550VA-30TR
Data Sheet Schottky barrier Diode RB550VA-30 Dimensions (Unit : mm) Applications General rectification Land size figure (Unit : mm) 1.1 0.17±0.1 0.05 1.9±0.1 3)High reliability 2.5±0.2 Features 1)Small mold type（TUMD2） 2)Low VF, Low IR 0.8 0.5 2.0 1.3±0.05 TUMD2 Construction Silicon epitaxial planar Structure 0.8±0.05 0.6±0.2 ROHM : TUMD2 0.1 dot (year week factory) + day Taping specifications (Unit : mm) 8.0±0.2 2.75 4.0±0.1 1.43±0.05 Absolute maximum ratings (Ta=25°C) Parameter Symbol VRM Reverse voltage (repetitive) VR Reverse voltage (DC) Average rectified forward current Io IFSM Forward current surge peak (60Hz ・1cyc) Junction temperature Tj Storage temperature Tstg Electrical characteristics (Ta=25°C) Parameter Symbol Forward voltage Reverse current www.rohm.com © 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Limits 30 30 1 3 150 40 to 150 2.8±0.05 0.25±0.05 1.75±0.1 φ1.55±0.1 0 2.0±0.05 3.5±0.05 4.0±0.1 φ1.0±0.2 0 0.9±0.08 Unit V V A A °C °C Min. Typ. Max. Unit VF 2 - 0.45 0.48 0.49 0.52 V V IF=700mA IF=1A IR - 1 30 μA VR=10V VF 1 1/3 Conditions 2011.05 - Rev.D
ROHM
ローム株式会社
日本
炭素皮膜抵抗の特許を元に創業した。社名のROHM（R:抵抗 Ohm:抵抗を示す単位）はそこに由来する。その後、大規模集積回路の製造を手がけ始め、現在は様々な機能を顧客の要望に応じてLSI上に集積するカスタムLSIが主力となっている。
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