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RKZ68ZMFAKTP1
RKZ6.8Z4KT Silicon Planar Zener Diode for Surge Absorption REJ03G1820-0100 Rev.1.00 Sep 15, 2009 Features • RKZ6.8Z4KT can absorbing surge with four devices in one chip configuration. • Low capacitance (C = 4.0 pF Typ) enable protecting signal line from ESD. • VSON-5 Package is suitable for high density surface mounting. Ordering Information Part No Laser Mark Package Name Package Code RKZ6.8Z4KT H RKZ6.8Z4KT P N1 VSON-5 PUSN0005KB-A Pin Arrangement 1 2 1 2 (Month code) N1 ∗ 3 5 4 (Top View) 5 4 3 (Top View) 1. Cathode 2. Cathode 3. Cathode 4. Anode 5. Cathode Month Code Month of Manufacture January February March April May June Assemble MALAYSIA 1 2 3 4 5 6 REJ03G1820-0100 Rev.1.00 Sep.15.2009 Page 1 of 4 Month of Manufacture July August September October November December Assemble MALAYSIA 7 8 9 W X Y Taping Abbreviation (Quantity) H (3,000 pcs / reel) P (3,000 pcs / reel) RKZ6.8Z4KT Main Characteristics 10-2 250 20h × 15w × 0.8t 10-3 10-6 10-7 10-8 10-9 10-10 10-11 200 2.45 Power Dissipation Pd (mW) 10-5 3.0 3.8 0.3 10-4 Zener Current IZ (A) Unit: mm 1.0 150 1.75 1.5 With polyimide board 100 50 10-12 10-13 0 1 2 3 4 5 6 7 0 0 50 100 150 200 Ambient Temperature Ta (°C) Fig.1 Zener current vs. Zener voltage Fig.2 Power Dissipation vs. Ambient Temperature Nonrepetitive Surge Reverses Power PRSM (W) Zener Voltage VZ (V) 104 PRSM t 10 3 102 10 1.0 10–2 10–1 1.0 Time t (ms) 10 Fig.3 Surge Reverse Power Ratings REJ03G1820-0100 Page 3 of 4 Ta = 25°C nonrepetitive Rev.1.00 Sep.15.2009 102 103
RENESAS
ルネサス エレクトロニクス株式会社
日本
2010年（平成22年）4月に設立された大手半導体メーカー。半導体製品の研究開発・製造・販売・サービス。主力製品は、マイコン(CISC、RISC)、パワーデバイス、アナログ＆ミックスドシグナルIC、汎用IC、高周波デバイス、光半導体、車載用LSI、産業用LSI、メモリ、ASIC、USB ASSP、システムLSI
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