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部品型式

BDT62B

製品説明
仕様・特性

BDT62B Transistors PNP Darlington Transistor Military/High-RelN V(BR)CEO (V)100 V(BR)CBO (V)100 I(C) Max. (A)10 Absolute Max. Power Diss. (W)90 Maximum Operating Temp (øC)150õ I(CBO) Max. (A)200u @V(CBO) (V) (Test Condition)100 h(FE) Min. Current gain.1.0k h(FE) Max. Current gain. @I(C) (A) (Test Condition)3.0 @V(CE) (V) (Test Condition)3.0 f(T) Min. (Hz) Transition Freq10M @I(C) (A) (Test Condition)3.0 @V(CE) (V) (Test Condition)3.0 V(CE)sat Max. (V)2.5 @I(C) (A) (Test Condition)8.0 @I(B) (A) (Test Condition)80m t(d) Max. (s) Delay time. t(r) Max. (s) Rise time t(on) Max. (s) On time.1.5u

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