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部品型式

2N2016

製品説明
仕様・特性

2N2016 Transistors Si NPN Power BJT Military/High-RelN V(BR)CEO (V)65 V(BR)CBO (V)130 I(C) Max. (A)10 Absolute Max. Power Diss. (W)150 Maximum Operating Temp (øC)200õ I(CBO) Max. (A)2.0m÷ @V(CBO) (V) (Test Condition)100 V(CE)sat Max. (V)1.25 @I(C) (A) (Test Condition)5.0 @I(B) (A) (Test Condition)500m h(FE) Min. Current gain.15 h(FE) Max. Current gain.50 @I(C) (A) (Test Condition)5.0 @V(CE) (V) (Test Condition)4.0 f(T) Min. (Hz) Transition Freq12k @I(C) (A) (Test Condition)5.0 @V(CE) (V) (Test Condition)4.0 t(d) Max. (s) Delay time. t(r) Max. (s) Rise time t(on) Max. (s) On time.

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