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RB450FT106PBF
RB450F Schottky Barrier Diode Data sheet ● Outline VR 40 V Io 100 mA IFSM 1 A ● Features ● Inner Circuit High reliability Small mold type Super Low V F ● Application ● Packaging Specifications Packing Embossed T ape Reel Size(mm) 180 T aping Width(mm) 8 Basic Ordering Unit(pcs) 3000 T aping Code T106 Marking 3F Small current rectification ● Structure Epitaxial planar ● Absolute Maximum Ratings (Ta = 25ºC unless otherwise stated) Parameter Symbol Conditions Limits Unit Repetitive peak reverse voltage Reverse voltage V RM VR Duty≦0.5 Reverse direct voltage 45 40 V V Average rectified forward current Io Glass epoxy mounted、60Hz half sin waveform、resistive load 100 mA Peak forward surge current IFSM 60Hz half sin waveform、 Non-repetitive、one cycle、Ta=25℃ 1 A Junction temperature Storage temperature Tj Tstg - 125 -40 ~ 125 ℃ ℃ ● Characteristics (Ta = 25ºC unless otherwise stated) Parameter Forward voltage Reverse current Capacitance between terminals ※Caution: static electricity Symbol Conditions VF IR Ct IF=10mA V R=10V V R=10V f=1MHz Min. Typ. Max. Unit - 6 0.45 1 - V μA pF Attention www.rohm.com 1/4 © 2016 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 2016/09/26_Rev.001
ROHM
ローム株式会社
日本
炭素皮膜抵抗の特許を元に創業した。社名のROHM(R:抵抗 Ohm:抵抗を示す単位)はそこに由来する。その後、大規模集積回路の製造を手がけ始め、現在は様々な機能を顧客の要望に応じてLSI上に集積するカスタムLSIが主力となっている。
見積依頼→在庫確認→見積回答→注文→検収→支払 となります。