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部品型式

2SD1273Q

製品説明
仕様・特性

2SD1273Q Transistors Si NPN Power BJT Military/High-RelN V(BR)CEO (V)60 V(BR)CBO (V)80 I(C) Max. (A)3 Absolute Max. Power Diss. (W)2 Maximum Operating Temp (øC)150õ I(CBO) Max. (A)100u @V(CBO) (V) (Test Condition)80 V(CE)sat Max. (V)1 @I(C) (A) (Test Condition)2 @I(B) (A) (Test Condition)50m h(FE) Min. Current gain.500 h(FE) Max. Current gain.1k @I(C) (A) (Test Condition)500m @V(CE) (V) (Test Condition)4 f(T) Min. (Hz) Transition Freq50MÂ @I(C) (A) (Test Condition)200m @V(CE) (V) (Test Condition)12 t(d) Max. (s) Delay time. t(r) Max. (s) Rise time t(on) Max. (s) On time.

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