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部品型式

FDS4935A

製品説明
仕様・特性

FDS4935A Dual 30V P-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications requiring a wide range of gave drive voltage ratings (4.5V – 20V). • –7 A, –30 V Applications • Fast switching speed • Power management • High performance trench technology for extremely low RDS(ON) RDS(ON) = 23 mΩ @ VGS = –10 V RDS(ON) = 35 mΩ @ VGS = –4.5 V • Low gate charge (15nC typical) • Load switch • Battery protection • High power and current handling capability DD1 D1 D D2 D 5 D2 D 6 4 3 Q1 7 SO-8 Pin 1 SO-8 G2 S2 S G1 S1 G 1 S Absolute Maximum Ratings Symbol 8 S 2 Q2 TA=25oC unless otherwise noted Parameter Ratings Units VDSS Drain-Source Voltage –30 V VGSS Gate-Source Voltage ±20 V ID Drain Current –7 A – Continuous (Note 1a) – Pulsed PD Power Dissipation for Dual Operation PD –30 Power Dissipation for Single Operation 2 (Note 1a) 1.6 (Note 1b) 1 (Note 1c) TJ, TSTG W 0.9 –55 to +175 °C (Note 1a) 78 °C/W (Note 1) 40 °C/W Operating and Storage Junction Temperature Range Thermal Characteristics RθJA Thermal Resistance, Junction-to-Ambient RθJC Thermal Resistance, Junction-to-Case Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Reel Size Tape width Quantity FDS4935A FDS4935A 13’’ 12mm 2500 units 2002 Fairchild Semiconductor Corporation FDS4935A Rev A(W) FDS4935A March 2002

ブランド

FAIRCHILD

会社名

Fairchild Semiconductor International, Inc

本社国名

U.S.A

事業概要

アメリカ合衆国の半導体メーカー。世界で初めて半導体集積回路の商業生産を開始した企業である。後に同社からは様々な人材が独立、幾つかはインテルを始めとする世界的な半導体メーカーへと成長していった。

供給状況

　
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