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部品型式

EDS2532AABH-75-E

製品説明
仕様・特性

DATA SHEET 256M bits SDRAM EDS2532AABH-75 (8M words × 32 bits) Pin Configurations • Density: 256M bits • Organization ⎯ 2M words × 32 bits × 4 banks • Package: 90-ball FBGA ⎯ Lead-free (RoHS compliant) • Power supply: VDD, VDDQ = 3.3V ± 0.3V • Clock frequency: 133MHz (max.) • 2KB page size ⎯ Row address: A0 to A11 ⎯ Column address: A0 to A8 • Four internal banks for concurrent operation • Interface: LVTTL • Burst lengths (BL): 1, 2, 4, 8, full page • Burst type (BT): ⎯ Sequential (1, 2, 4, 8, full page) ⎯ Interleave (1, 2, 4, 8) • /CAS Latency (CL): 2, 3 • Precharge: auto precharge operation for each burst access • Refresh: auto-refresh, self-refresh • Refresh cycles: 4096 cycles/64ms ⎯ Average refresh period: 15.6μs • Operating ambient temperature range ⎯ TA = 0°C to +70°C /xxx indicates active low signal. L EO Specifications 90-ball FBGA 1 2 3 4 5 6 8 9 A DQ26 DQ24 VSS VDD DQ23 DQ21 DQ28 VDDQ VSSQ VDDQ VSSQ DQ19 VSSQ DQ27 DQ25 DQ22 DQ20 VDDQ VSSQ DQ29 DQ30 DQ17 DQ18 VDDQ B C D E VDDQ DQ31 NC NC DQ16 VSSQ VSS DQM3 A3 A2 DQM2 VDD F G A4 A5 A6 A10 A0 A1 A7 A8 NC NC BA1 A11 CLK CKE A9 BA0 /CS /RAS NC NC /CAS /WE DQM0 VSS VDD DQ7 VSSQ VSSQ DQ10 DQ9 DQ6 DQ5 VDDQ VSSQ DQ12 DQ14 DQ1 DQ3 VDDQ H J K Pr DQM1 L VDDQ DQ8 M N P VDDQ VSSQ DQ4 od DQ11 VDDQ VSSQ Features 7 R • ×32 organization • Single pulsed /RAS • Burst read/write operation and burst read/single write operation capability • Byte control by DQM DQ13 DQ15 VSS VDD DQ0 DQ2 (Top view) Address inputs Bank select address Data-input/output Chip select Row address strobe Column address strobe Write enable DQ mask enable Clock enable Clock input Power for internal circuit Ground for internal circuit Power for DQ circuit Ground for DQ circuit No connection t uc A0 to A11 BA0, BA1 DQ0 to DQ31 /CS /RAS /CAS /WE DQM0 to DQM3 CKE CLK VDD VSS VDDQ VSSQ NC Document No. E0493E40 (Ver. 4.0) Date Published December 2005 (K) Japan Printed in Japan URL: http://www.elpida.com This product became EOL in March, 2007. ©Elpida Memory, Inc. 2004-2005

ブランド

ELPIDA

会社名

エルピーダメモリ株式会社

本社国名

日本

事業概要

DRAM(ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ)のリーディングカンパニーです。世界トップレベルの技術力により、開発・設計・製造・販売活動を積極的に展開しています。

供給状況

 
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データシート
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