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2N5636
2N5636 Transistors Bipolar NPN UHF/Microwave Transisitor Military/High-RelN V(BR)CEO (V)35 V(BR)CBO (V)60 I(C) Max. (A)1.5 Absolute Max. Power Diss. (W)15 Minimum Operating Temp (øC) Maximum Operating Temp (øC)200þ I(CBO) Max. (A)1.0m @V(CBO) (V) (Test Condition)30 h(FE) Max. Current gain. @I(C) (A) (Test Condition)200m @V(CE) (V) (Test Condition)5.0 f(T) Min. (Hz) Transition Freq450M @I(C) (A) (Test Condition)200m @V(CE) (V) (Test Condition)10 Power Gain Min. (dB)5.7 @I(C) (A) (Test Condition)535m @V(CE) (V) (Test Condition)28 @Freq. (Hz) (Test Condition)400M Noise Figure Min. (dB) @I(C) (A) (Test Condition)535m
STM
STMicroelectronics NV
スイス
半導体を製造・販売する、スイスのジュネーヴに本社を置く企業。 日本法人は、エス・ティー・マイクロエレクトロニクス株式会社。
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