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2N5631
Inchange Semiconductor Product Specification 2N5631 Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ・With TO-3 package ・Complement to type 2N6031 ・High collector-emitter sustaining voltage ・High DC current gain@IC=8A ・Low collector saturation voltage APPLICATIONS ・For high power audio amplifier and high voltage switching regulator circuits applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter 3 Collector 体 半导 电 固 Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol SYMBOL VALUE UNIT Open emitter 140 V Open base 140 V 7 V Collector current 16 A ICM Collector current-peak 20 A IB Base current 5.0 A PD Total Power Dissipation 200 W Tj Junction temperature 200 ℃ Tstg Storage temperature -65~200 ℃ VALUE UNIT 0.875 ℃/W VCBO VCEO VEBO IC PARAMETER TOR UC OND IC Absolute maximum ratings(Ta=℃) Collector-base voltage CONDITIONS SEM GE HAN INC Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Open collector TC=25℃ THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance junction to case
MOT
1999年8月4日、ディスクリート・標準アナログ・標準ロジックなどの半導体部門をオン・セミコンダクターとして分社化した。これは、イリジウムコミュニケーションズ倒産の損失をカバーするために分社化された。
ON Semiconductor
U.S.A
オン・セミコンダクターの前身は、モトローラ社の半導体コンポーネント・グループであり、モトローラ社のディスクリート、標準アナログ、標準ロジック・デバイスを継続して製造。
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