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2SD1210K
isc Product Specification INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·High DC Current Gain : hFE= 1000(Min.)@ IC= 10A ·Collector-Emitter Sustaining Voltage: VCEO(SUS) = 100V(Min) APPLICATIONS ·Designed for audio frequency power amplifier and low speed high current switching industrial use. .cn mi e ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL scs .i PARAMETER ww VCBO Collector-Base Voltage VCEO Collector-Emitter Voltage VEBO Emitter-Base Voltage w VALUE UNIT 150 V 100 V 8 V IC Collector Current-Continuous 10 A ICM Collector Current-Peak 20 A Base Current- Continuous 1 A Collector Power Dissipation @Ta=25℃ 3 IB B PC W Collector Power Dissipation @TC=25℃ Tj Tstg 80 Junction Temperature 150 ℃ -55~150 ℃ Storage Temperature Range isc Website:www.iscsemi.cn 2SD1210
NEC
NECエレクトロニクスは平成14年にNECから、ルネサスは平成15年に日立製作所及び三菱電機からそれぞれ分離独立する形で設立された半導体専業企業であり両者は合併した。
RENESAS
ルネサス エレクトロニクス株式会社
日本
2010年(平成22年)4月に設立された大手半導体メーカー。半導体製品の研究開発・製造・販売・サービス。主力製品は、マイコン(CISC、RISC)、パワーデバイス、アナログ&ミックスドシグナルIC、汎用IC、高周波デバイス、光半導体、車載用LSI、産業用LSI、メモリ、ASIC、USB ASSP、システムLSI
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